GP2M020A060N

Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Produk Semikonduktor Diskrit
GP2M020A060N.pdf

bagian # GP2M020A060N tersedia, lihat deskripsi GP2M020A060N seperti di bawah ini.
gunakan formulir kutipan permintaan untuk meminta harga GP2M020A060N dan lead time.
Beli Komponen Elektronik di zeanoit.com .kami adalah distributor independen komponen elektronik dengan stok persediaan yang luas.
Harga dan waktu tunggu untuk GP2M020A060N tergantung pada jumlah yang dibutuhkan, ketersediaan, dan lokasi gudang. Hubungi kami hari ini dan tim penjualan kami akan segera mengirimkan penawaran harga kepada Anda.
Email: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimum:1; Kelipatan:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Spesifikasi
Ulasan
Pembayaran
pengiriman
Pengemasan

Vgs (th) (Max) @ Id:	5V @ 250µA
Teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:	TO-3PN
Seri:	-
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:	330 mOhm @ 10A, 10V
Power Disipasi (Max):	347W (Tc)
Pengemasan:	Tube
Paket / Case:	TO-3P-3, SC-65-3
Suhu Operasional:	-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:	Through Hole
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:	3184pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	70nC @ 10V
FET Jenis:	N-Channel
Fitur FET:	-
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:	20A (Tc)