CSD23202W10

N/A
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Produk Semikonduktor Diskrit

Kami dapat menyediakan CSD23202W10, menggunakan formulir permintaan permintaan untuk meminta pirates CSD23202W10, Datasheet PDF dan lead time.Zeanoit.com adalah distributor komponen elektronik profesional. Dengan 3 + Juta item baris komponen elektronik yang tersedia dapat dikirim dalam waktu singkat, lebih dari 250 ribu komponen komponen elektronik dalam stok untuk pengiriman segera, yang mungkin termasuk nomor komponen CSD23202W10. Harga dan waktu pengiriman untuk CSD23202W10 tergantung pada jumlah diperlukan, ketersediaan dan lokasi gudang.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimum:1; Kelipatan:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Spesifikasi
Ulasan
Pembayaran
pengiriman
Pengemasan

Vgs (th) (Max) @ Id:	900mV @ 250µA
Vgs (Max):	-6V
Teknologi:	MOSFET (Metal Oxide)
Paket Perangkat pemasok:	4-DSBGA (1x1)
Seri:	NexFET™
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:	53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Disipasi (Max):	1W (Ta)
Pengemasan:	Tape & Reel (TR)
Paket / Case:	4-UFBGA, DSBGA
Suhu Operasional:	-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:	Surface Mount
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:	512pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:	3.8nC @ 4.5V
FET Jenis:	P-Channel
Fitur FET:	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif):	1.5V, 4.5V
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:	2.2A (Ta)